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SIS862ADN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:52A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。 非常低的RDS × Qg品质因数 (FOM)。 针对最低的RDS × Qoss FOM进行了调整。 100% Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS862ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289417
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1679克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.235nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽式场效应功率 MOSFET
- 新型低热阻 PowerPAK 封装
应用领域
- 便携式设备
- 功率放大器开关
- 电池开关
- 负载开关
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