温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7220DN-T1-GE3
2个N沟道 耐压:60V 电流:4.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：无卤（根据IEC 61249-2-21标准）。 TrenchFET功率MOSFET。 新型低热阻PowerPAK封装，占用空间为SO-8的1/3，热性能相当。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7220DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289420
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 在10.89 mm²的封装尺寸下，导通电阻小于1.1 mΩ
- 额定2.5 V时的导通电阻RDS(on)
- 优化了栅极电荷Qg、栅漏电荷Qgd以及Qgd/Qgs比，降低与开关相关的功率损耗
- 100%进行栅极电阻Rg和非钳位感性开关UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 同步降压转换器
- 电池管理
- 负载开关
相似推荐
其他推荐
- SI7913DN-T1-E3
- SISS92DN-T1-GE3
- SISS80DN-T1-GE3
- SISS71DN-T1-GE3
- SISS70DN-T1-GE3
- SIS888DN-T1-GE3
- SISS54DN-T1-GE3
- SISS32ADN-T1-GE3
- SISS30ADN-T1-GE3
- SISS61DN-T1-GE3
- SISS08DN-T1-GE3
- SISS64DN-T1-GE3
- SISF02DN-T1-GE3
- SISH536DN-T1-GE3
- SISH625DN-T1-GE3
- SISS76LDN-T1-GE3
- SISHA10DN-T1-GE3
- SISS52DN-T1-GE3
- SQS140ENW-T1_GE3
- SQSA70CENW-T1_GE3
- SQ7415CENW-T1_GE3