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SQS401EN-T1_BE3

1个P沟道耐压:40V 电流:16A

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SQS401EN-T1_BE3
商品编号: C3289416
商品封装: PowerPAK1212-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.111835克(g)

商品参数

商品概述

汽车级P沟道40 V(D-S)175 °C MOSFET PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的派生封装。它采用相同的封装技术,最大限度地增大了芯片面积。芯片附着焊盘底部外露,为器件所安装的基板提供直接、低电阻的散热路径。其占位面积与TSOP-6相当,比标准TSSOP-8小40%以上。其芯片容量是标准TSOP-6的两倍多。热性能比SO-8好一个数量级,比TSSOP-8好20倍。其热性能优于市场上所有现有的表面贴装封装。它能充分利用任何PCB板散热器的散热能力。与TSSOP-8相比,降低结温还能使芯片效率提高约20%。单通道和双通道PowerPAK 1212-8与单通道和双通道PowerPAK SO-8采用相同的引脚排列。PowerPAK高度仅1.05 mm,这两种版本都是空间受限应用的理想选择。

商品特性

TrenchFET功率MOSFET
通过AEC-Q101认证
100%进行Rg和UIS测试
符合RoHS标准
无卤

应用领域

用于智能手机、平板电脑和移动计算等便携式应用的负载开关
低电压栅极驱动
低压降
用于集成电路的电源开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	16A
	导通电阻(RDS(on))	51mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	62.5W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	21.2nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.875nF
	反向传输电容(Crss)	205pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	295pF