SIUD406ED-T1-GE3
N沟道 MOSFET,电流:0.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIUD406ED-T1-GE3
- 商品编号
- C3289406
- 商品封装
- PowerPAK0806
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.85Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 17pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件在双封装中集成了两个专用的N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET™（Q2）旨在实现最佳电源效率。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 超小尺寸,外形为0.8 mm x 0.6 mm
- 超薄设计,最大高度0.4 mm
- 典型ESD保护能力1000 V(HBM)
- 100%进行Rg测试
应用领域
-负载开关-高速开关-DC/DC转换器-电池供电和移动设备
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