SIUD406ED-T1-GE3
N沟道 MOSFET,电流:0.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIUD406ED-T1-GE3
- 商品编号
- C3289406
- 商品封装
- PowerPAK0806
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 500mA | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.46Ω@4.5V,0.5A | |
耗散功率(Pd) | 370mW |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
栅极电荷量(Qg) | 400pC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 17pF@15V | |
反向传输电容(Crss) | 2.5pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
1+¥1.7978
200+¥0.6958
500+¥0.6713
1000+¥0.6592¥1977.6
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