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SIS126DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:45.1A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS126DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289410
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.402nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.1pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度可达+175°C，适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低RDS(ON)，可将导通损耗降至最低
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
应用领域
- 发动机管理系统
- 车身控制电子设备
- DC-DC转换器
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