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SIS126DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:45.1A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS126DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289410
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.402nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS × Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-电机驱动开关-电池和负载开关-工业应用
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