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SIHK045N60E-T1-GE3
N沟道,电流:31A,耐压:600V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHK045N60E-T1-GE3
- 商品编号
- C3289407
- 商品封装
- PowerPAK(10x12)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.013nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货10-15个工作日购买数量
(2000个/圆盘，最小起订量 2000 个)个
起订量：2000 个2000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
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