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SIZ240DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:40V 电流:48A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFETs。 集成MOSFET半桥功率级。 100% Rg和UIS测试。 优化的Qgs/Qgd比改善开关特性。应用：同步降压转换器。 电信DC/DC POL
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZ240DT-T1-GE3
- 商品编号
- C3289403
- 商品封装
- PowerPAIR-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF；230pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管(TrenchFET Gen IV)功率MOSFET
- 集成式MOSFET半桥功率级
- 100%进行Rg和UIS测试
- 优化的Qgs/Qgd比可改善开关特性
应用领域
-同步降压转换器-电信DC/DC电源-负载点(POL)-电机驱动控制
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