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SIZ240DT-T1-GE3实物图
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SIZ240DT-T1-GE3

2个N沟道 耐压:40V 电流:48A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFETs。 集成MOSFET半桥功率级。 100% Rg和UIS测试。 优化的Qgs/Qgd比改善开关特性。应用：同步降压转换器。 电信DC/DC POL
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIZ240DT-T1-GE3
商品编号
C3289403
商品封装
PowerPAIR-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.154克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)48A
导通电阻(RDS(on))8.41mΩ@10V
耗散功率(Pd)33W
阈值电压(Vgs(th))2.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)1.18nF@20V
反向传输电容(Crss)15pF@20V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)170pF；230pF

数据手册PDF

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