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SIZF918DT-T1-GE3

双N沟道,电流:60A,耐压:30V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIZF918DT-T1-GE3
商品编号: C3289404
商品封装: PowerPAIR-8(6x5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

TrenchFET第四代功率MOSFET
集成肖特基二极管的SkyFET低端MOSFET
100%进行Rg和UIS测试

应用领域

-CPU核心电源-计算机/服务器外设负载点(POL)-同步降压转换器-电信DC/DC电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	60A
	导通电阻(RDS(on))	4mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	50W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.4V
	栅极电荷量(Qg)	37nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.65nF
	反向传输电容(Crss)	140pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道