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DMP3021SFVWQ-7
1个P沟道 耐压:30V 电流:42A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3021SFVWQ-7
- 商品编号
- C3289390
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.799nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 259pF |
商品概述
CoolMOS™ 是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，基于超结（SJ）原理设计，由英飞凌科技公司率先推出。CoolMOS™ C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，能实现更高效率、更低栅极电荷、易于应用且可靠性卓越。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)——确保将导通状态损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,使终端产品体积更小
- 栅极具备静电放电(ESD)保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器