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DMT47M2SFVWQ-7
1个N沟道 耐压:40V 电流:49.1A
- 描述
- 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC - Q101 标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电机控制
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT47M2SFVWQ-7
- 商品编号
- C3289393
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 897pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.4pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）
- 针对最低的RDS × Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-电机驱动开关-电池和负载开关-工业应用