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DMG6301UDW-13
2个N沟道 耐压:25V 电流:0.24A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG6301UDW-13
- 商品编号
- C3290122
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 360pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 27.9pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
新一代MOSFET专为最大程度降低导通电阻 RDS(on) 而设计，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 小型表面贴装封装
- 静电放电保护栅极（人体模型>6kV）
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等