FDMD8440L
FDMD8440L
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD8440L
- 商品编号
- C890984
- 商品封装
- PQFN-8-EP(5x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 87A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.965nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 875pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该封装集成了两个采用共源极配置内部连接的N沟道器件。这可实现极低的封装寄生参数,并优化通往底部共源焊盘的热路径。它占用面积非常小(3.3 x 5 mm),可实现更高的功率密度。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 21 A 时,最大 rDS(on) = 2.6 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 17 A 时,最大 rDS(on) = 3.8 m Ω
- 非常适合次级侧同步整流的灵活布局
- 经过100% UI1L测试
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-隔离式DC-DC同步整流器-共地负载开关


