FDMS0312S
1个N沟道 耐压:30V 电流:19A 电流:42A
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- 描述
- FDMS0312S 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS0312S
- 商品编号
- C891041
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A；19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@10V,18A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.82nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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