FDMS0312S
1个N沟道 耐压:30V 电流:19A 电流:42A
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- 描述
- FDMS0312S 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS0312S
- 商品编号
- C891041
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A；19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.82nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMS7660AS旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。结合了硅和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通态漏源电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 18 A 时,最大 rDS(on) = 4.9 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 14 A 时,最大 rDS(on) = 5.8 m Ω
- 先进的封装和硅技术组合,实现低RDS(ON)和高效率
- 同步场效应晶体管(SyncFET)肖特基体二极管
- MSL1 坚固封装设计
- 100% 进行 UIL 测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- DC/DC 转换器的同步整流器
- 笔记本电脑 Vcore/ GPU 低端开关
- 网络负载点低端开关
- 台式电脑