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FDMS5672
耐压:60V 电流:10.6A
- 描述
- UItraFET 器件结合了各种特性，可在电源转换应用中提供标杆式能效。此类器件针对 rDS(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化，适用于高频 DC/DC 转换器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS5672
- 商品编号
- C891061
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件在双功率（3.3 mm X 5 mm）封装中集成了两个60V N沟道MOSFET。高端源极和低端漏极内部连接，适用于半桥/全桥应用，采用低源极电感封装，具有低导通态漏源电阻（rDS(on)）与栅极电荷（Qg）优值（FOM）的硅材料。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 10.6 A时,最大导通电阻rDS(on) = 11.5 m Ω
- 在VGS= 6 V、ID = 8 A时,最大导通电阻RDS(ON)= 16.5 m Ω
- 在VGS= 10 V时,典型栅极电荷Qg = 32 nC
- 低米勒电荷
- 高频下效率优化
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换