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FDMS86102LZ
FDMS86102LZ
- 描述
- 此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86102LZ
- 商品编号
- C891086
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 979pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造,该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻进行了优化,同时保持了卓越的开关性能。添加了G-S齐纳二极管以提高ESD电压水平。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 7 A时,最大rDS(on) = 25 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 5.8 A时,最大rDS(on) = 37 mΩ
- 人体模型(HBM)ESD保护水平典型值>6 KV
- 100%通过UIL1测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流转换
- 逆变器
- 同步整流器