温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMS86102LZ
FDMS86102LZ
- 描述
- 此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86102LZ
- 商品编号
- C891086
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅极技术的先进PowerTrench®工艺制造。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 6.7 A时，最大rDS(on) = 25 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 5.8 A时，最大rDS(on) = 33 mΩ
- 先进的封装与芯片组合，实现低rDS(on)和高效率
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换