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FDMS86102LZ
FDMS86102LZ
- 描述
- 此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86102LZ
- 商品编号
- C891086
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅极技术的先进PowerTrench®工艺制造。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 7 A时,最大rDS(on) = 25 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 5.8 A时,最大rDS(on) = 37 mΩ
- 人体模型(HBM)ESD保护水平典型值>6 KV
- 100%通过UIL1测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流转换
- 逆变器
- 同步整流器