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FDMS86255ET150
1个N沟道 耐压:150V 电流:63A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86255ET150
- 商品编号
- C891097
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.4mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.48nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过专门优化，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 扩展的结温（T_J）额定值至175°C
- 在VGS = 10 V、 ID = 25 A时，最大导通电阻RDS(on) = 2.4 mΩ
- 在VGS = 8 V、 ID = 22 A时，最大导通电阻RDS(on) = 3.2 mΩ
- 先进的封装与硅片组合，实现低导通电阻和高效率
- MSL1级坚固封装设计
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主MOSFET
- 同步整流器
- 负载开关
- 电机控制开关