温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDN028N20
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.1A
- 描述
- 此 N 沟道 PowerTrench MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN028N20
- 商品编号
- C891116
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，旨在最大程度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低导通电阻rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V、ID = 5.2 A时,最大rDS(on) = 28 mΩ
- 在VGS = 2.5 V、ID = 4.4 A时,最大rDS(on) = 45 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
- 采用广泛使用的表面贴装封装,具备高功率和电流处理能力
- 开关速度快
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-主DC-DC开关-负载开关