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FDN86246
1个N沟道 耐压:150V 电流:1.6A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN86246
- 商品编号
- C891118
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 195mΩ@10V,1.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
FDMS8880专为最大限度降低功率转换应用中的损耗而设计。结合了硅技术和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通电阻rDS(on)。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 13.5 A时，最大导通电阻rDS(on) = 8.5 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 10.9 A时，最大导通电阻rDS(on) = 13.0 mΩ
- 先进的封装与硅技术相结合，实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- MSL1级坚固封装设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑Vcore和服务器的同步降压电路
- 笔记本电脑电池组
- 负载开关