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FDPC8013S
2个N沟道 耐压:30V 电流:26A 电流:13A
- 描述
- 此器件采用一个双封装，其中包含两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPC8013S
- 商品编号
- C891125
- 商品封装
- PowerClip-33
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 827pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 128pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款单P沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的功率沟槽工艺设计，以优化VGS = -2.5V时的RDS(ON)。
商品特性
- -150 mA，-20 V，RDS(ON) = 8 Ω（VGS = -4.5 V）
- VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 12 Ω
- 静电保护二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组