FDPC8014AS
2个N沟道 耐压:25V 电流:159A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPC8014AS
- 商品编号
- C891126
- 商品封装
- PQFN-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 159A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V；0.75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V；3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V；44nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.695nF；6.985nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF；172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率 MOSFET 采用安森美半导体的沟槽技术制造，该技术专门用于最小化栅极电荷和降低导通电阻。该器件适用于对栅极电荷驱动要求低或对导通电阻要求低的应用。
商品特性
- Q1:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 20 A时,最大rDS(on) = 3.8 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 18 A时,最大rDS(on) = 4.7 mΩ
- Q2:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 40 A时,最大rDS(on) = 1.0 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 37 A时,最大rDS(on) = 1.2 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现最佳布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域
- 通信领域
- 通用负载点应用