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FDWS86369-F085
1个N沟道 耐压:80V 电流:65A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDWS86369-F085
- 商品编号
- C891132
- 商品封装
- Power-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造。结合了硅技术和Dual Cool™封装技术的优势，在极低的结到环境热阻下，实现了极低的导通电阻rDS(on)，同时保持出色的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 65 A条件下,典型RDS(on) = 5.9 mΩ
- 在VGS = 10 V、ID = 65 A条件下,典型Qg(tot) = 35 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量(UIS)能力
- 符合RoHS标准
- 通过AEC Q101认证
- 可焊侧翼,适用于自动光学检测(AOI)
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 集成启动发电机
- 12V系统主开关