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FDY4000CZ
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:350mA 电流:600mA
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- 描述
- 此互补 N 和 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 RDS(ON) at VGS=2.5V 和指定 RDS(ON) at VGS = 1.8V。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDY4000CZ
- 商品编号
- C891140
- 商品封装
- SOT-563F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA；350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 446mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- Q1:N沟道
- VGS = 4.5 V、ID = 600 mA时,最大rDS(ON) = 0.7 Ω
- VGS = 2.5 V、ID = 500 mA时,最大rDS(ON) = 0.85 Ω
- VGS = 1.8 V、ID = 150 mA时,最大rDS(ON) = 1.25 Ω
- Q2:P沟道
- VGS = -4.5 V、ID = -350 mA时,最大rDS(ON) = 1.2 Ω
- VGS = -2.5 V、ID = -300 mA时,最大rDS(ON) = 1.6 Ω
- VGS = -1.8 V、ID = -150 mA时,最大rDS(ON) = 2.7 Ω
- 静电放电保护二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电平转换
- 电源转换电路
- 负载/电源开关
- 手机、寻呼机