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FDY4000CZ
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:350mA 电流:600mA
- 描述
- 此互补 N 和 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 RDS(ON) at VGS=2.5V 和指定 RDS(ON) at VGS = 1.8V。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDY4000CZ
- 商品编号
- C891140
- 商品封装
- SOT-563F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA；350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@4.5V,600mA | |
| 耗散功率(Pd) | 446mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（4 mm²），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 无线充电器-电源负载开关-电源管理与保护-电池管理