MCH6436-TL-W
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MCH6436-TL-W
- 商品编号
- C891552
- 商品封装
- SOT-363-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@10V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款功率MOSFET采用安森美半导体的沟槽技术制造，该技术专门用于最小化栅极电荷和降低导通电阻。该器件适用于对栅极电荷驱动要求低或对导通电阻要求低的应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 高速开关
- 1.8V驱动
- 栅极有ESD二极管保护
- 无铅、无卤且符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器