温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTJD4152PT2G
2个P沟道 耐压:20V 电流:880mA
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTJD4152PT2G
- 商品编号
- C894003
- 商品封装
- SOT-363-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 880mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 272mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用领先的沟槽技术,实现低RDS(ON)性能
- 小尺寸封装(等效于SC70-6)
- 栅极具备ESD保护
- NV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品
应用领域
- 负载/电源管理
- 充电电路
- 负载开关
- 手机、计算机、数码相机、MP3播放器和个人数字助理(PDA)
相似推荐
其他推荐
- NTJS4405NT1G
- NTLJD4116NT1G
- NTLJF4156NTAG
- NTLJS3113PT1G
- NTLJS3D0N02P8ZTAG
- NTLJS4114NTAG
- NTLJS4D7N03HTAG
- NTLJS4D9N03HTAG
- NTLJS5D0N03CTAG
- NTLJS7D2P02P8ZTAG
- NTLLD4951NFTWG
- NTLUD3A260PZTBG
- NTLUD3A50PZTBG
- NTLUS020N03CTAG
- NTLUS029N06T6TAG
- NTLUS030N03CTAG
- NTLUS3A40PZTBG
- NTLUS3A90PZTAG
- NTLUS3A90PZTBG
- NTLUS4C12NTBG
- NTLUS4C16NTAG