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NTLJS3D0N02P8ZTAG
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- 描述
- MOSFET，功率，单 20V/±12 N 沟道，3.8mΩ，4.5V，20.2A，WDFN6 2x2x0.8mm
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLJS3D0N02P8ZTAG
- 商品编号
- C894009
- 商品封装
- WDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 小封装尺寸(4 mm2),适合紧凑设计
- 超低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
-无线充电-电源负载开关-电源管理与保护-电池管理-DC-DC 转换器
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