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NTMFS10N7D2C实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTMFS10N7D2C

1个N沟道 耐压:100V 电流:78A

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描述
此 N 沟道 MV MOSFET 使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化,可最大程度降低导通电阻,同时可保持卓越的开关性能,以及业内最佳的软体二极管。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFS10N7D2C
商品编号
C894039
商品封装
PQFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)78A
导通电阻(RDS(on))7.2mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)2.635nF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • VGS = 10 V、ID = 28 A 时,最大 rDS(on) = 7.2 mΩ
  • VGS = 6 V、ID = 14 A 时,最大 rDS(on) = 23.4 mΩ
  • Qrr 比其他 MOSFET 供应商低 50%
  • 降低开关噪声/电磁干扰
  • MSL1 坚固封装设计
  • 经过 100% UIL 测试
  • 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准

应用领域

  • 主 DC-DC MOSFET
  • DC-DC 和 AC-DC 中的同步整流器
  • 电机驱动
  • 太阳能

数据手册PDF