温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMTS0D4N04CTXG
耐压:40V 电流:558A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMTS0D4N04CTXG
- 商品编号
- C894058
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.515克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 558A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 244W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 251nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(8x8 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
- Power 88 封装,符合行业标准
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
相似推荐
其他推荐
- NTMTS0D7N04CLTXG
- NTMTS0D7N04CTXG
- NTMTS1D2N08H
- NTMTS1D5N08H
- NTMTS1D5N08MC
- NTMTSC1D5N08MC
- NTMYS010N04CLTWG
- NTMYS011N04CTWG
- NTMYS014N06CLTWG
- NTMYS021N06CLTWG
- NTMYS025N06CLTWG
- NTMYS2D1N04CLTWG
- NTMYS2D4N04CTWG
- NTMYS2D9N04CLTWG
- NTMYS3D3N06CLTWG
- NTMYS3D5N04CTWG
- NTMYS3D8N04CLTWG
- NTMYS4D5N04CTWG
- NTMYS4D6N04CLTWG
- NTMYS5D3N04CTWG
- NTMYS6D2N06CLTWG