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NTMTS0D4N04CTXG
耐压:40V 电流:558A
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- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMTS0D4N04CTXG
- 商品编号
- C894058
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.515克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 558A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.45mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 244W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 251nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.5nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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