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NTMTS1D2N08H
NTMTS1D2N08H
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMTS1D2N08H
- 商品编号
- C894061
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 335A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 小尺寸(8x8 mm),便于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以降低驱动损耗
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 理想二极管场效应晶体管/负载开关
- 同步整流器
- DC-DC转换
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