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NTMYS3D3N06CLTWG
1个N沟道 耐压:60V 电流:26A 电流:133A
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMYS3D3N06CLTWG
- 商品编号
- C894074
- 商品封装
- LFPAK-4(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 133A；26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.9W；100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.88nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款 N 沟道中压 MOSFET 采用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅极技术。此工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 小尺寸(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗
- LFPAK4封装,行业标准
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 主 DC-DC MOSFET
- DC-DC 和 AC-DC 中的同步整流器
- 电机驱动
- 太阳能
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