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NTTFD4D0N04HLTWG

2个N沟道耐压:40V 电流:60A

描述: 该器件在双封装中包含两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET (Q2) 和同步MOSFET (Q1) 旨在提供最佳功率效率。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTTFD4D0N04HLTWG
商品编号: C894095
商品封装: WDFN-12
包装方式: 编带
商品毛重: 0.51克(g)

商品参数

该器件在双封装中包含两个专用 N 沟道 MOSFET。开关节点已实现内部连接,便于同步降压转换器的布局和布线。控制 MOSFET(Q2)和同步 MOSFET(Q1)经过设计,可实现最佳功率效率。

Q1:N 沟道
- 在 VGS = 10 V、ID = 10 A 时,最大 rDS(on) = 4.5 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 8.0 A 时,最大 rDS(on) = 7 m Ω
Q2:N 沟道
- 在 VGS = 10 V、ID = 10 A 时,最大 rDS(on) = 4.5 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 8.0 A 时,最大 rDS(on) = 7 m Ω
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- 符合 RoHS 标准

-计算领域-通信领域-通用负载点应用