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NTTFD4D0N04HLTWG
2个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 该器件在双封装中包含两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET (Q2) 和同步MOSFET (Q1) 旨在提供最佳功率效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFD4D0N04HLTWG
- 商品编号
- C894095
- 商品封装
- WDFN-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)、低电容和优化的栅极电荷，可最大程度降低传导、驱动和开关损耗
- 下一代增强型体二极管，专为软恢复设计，具备类似肖特基二极管的性能
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准
应用领域
-CPU电源供电-DC-DC转换器
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