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NVJS4151PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- 特性：领先的沟槽技术，低导通电阻RDS(ON)，延长电池寿命。SC-88小外形尺寸（2x2 mm），最大程度利用电路板，与SC-70-6相同。栅极二极管用于ESD保护。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：高端负载开关。手机
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVJS4151PT1G
- 商品编号
- C894165
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用领先的沟槽技术实现低RDS(ON),延长电池使用寿命
- 采用SC-88小外形封装(2x2 mm),最大限度提高电路板利用率,与SC-70-6相同
- 具备栅极二极管,用于静电放电(ESD)保护
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS标准
应用领域
- 高端负载开关
- 手机、计算机、数码相机、MP3播放器和个人数字助理(PDA)
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