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NVMJS0D9N04CTWG
1个N沟道 耐压:40V 电流:52A 电流:342A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMJS0D9N04CTWG
- 商品编号
- C894172
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 342A；52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.81mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 4.2W；180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 117nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.4nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件在双封装中包含两个专用的N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q2）和同步MOSFET（Q1）经过设计，可实现最佳功率效率。
商品特性
- 小尺寸(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低漏源导通电阻(RDS(on)),将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷(QG)和电容,将驱动损耗降至最低
- LFPAK8封装,行业标准
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域
- 通信领域
- 通用负载点应用
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