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NVMTSC1D3N08M7TXG
NVMTSC1D3N08M7TXG
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMTSC1D3N08M7TXG
- 商品编号
- C894188
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 348A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.97mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 287W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 196nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 14.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 106pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.047nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 小尺寸封装(8x8 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 新型Power 88双散热封装
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
- 可选可焊侧翼镀层,便于光学检测
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