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NVMYS1D2N04CLTWG
1个N沟道 耐压:40V 电流:44A 电流:258A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMYS1D2N04CLTWG
- 商品编号
- C894194
- 商品封装
- LFPAK56E-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 258A；44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.9W；134W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 109nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.33nF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 小尺寸封装（8x8 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以降低驱动损耗
- 可焊侧翼镀覆，便于光学检测
- 通过AEC-101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）产品，符合RoHS标准