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NVMYS2D4N04CTWG
1个N沟道 耐压:40V 电流:30A 电流:138A
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMYS2D4N04CTWG
- 商品编号
- C894198
- 商品封装
- LFPAK-4(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；138A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 83W；3.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
交货周期
订货89-91个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个3000个/圆盘
总价金额：
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