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FQT1N80TF-WS
1个N沟道 耐压:800V 电流:200mA
- 描述
- 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQT1N80TF-WS
- 商品编号
- C894840
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5Ω@10V,0.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 195pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了G-S齐纳二极管以提高ESD电压等级。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 1.2 A时，最大rDS(on) = 845 mΩ
- 在VGS = 6.0 V、ID = 1.0 A时，最大rDS(on) = 1280 mΩ
- 与其他沟槽技术相比，Qg和Qgd极低
- 开关速度快
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换
- 逆变器
- 同步整流器