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EFC4K110NUZTDG实物图
  • EFC4K110NUZTDG商品缩略图

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EFC4K110NUZTDG

2个N沟道 耐压:24V 电流:25A

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描述
EFC4K110NUZTDG 具有超低导通电阻、高电流特性,采用小而薄的 CSP 封装。最适合 1 至 2 芯锂离子电池保护电路。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
EFC4K110NUZTDG
商品编号
C895365
商品封装
WLCSP-10(2.1x3.2)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)24V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.3V
栅极电荷量(Qg)49nC@4.5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
配置-

数据手册PDF

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