NTMFD4902NFT3G
2个N沟道 耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFD4902NFT3G
- 商品编号
- C893815
- 商品封装
- DFN-8(4.8x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V；3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 共封装功率级解决方案,可最小化电路板空间
- 集成肖特基二极管的低端MOSFET
- 寄生电感最小化
- 优化器件以降低功率损耗
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 系统电压轨
- 负载点