- 引脚图
- 焊盘图
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NTMFD4C20NT3G
NTMFD4C20NT3G
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- 描述
- 双 N 沟道，功率 MOSFET，30 V，高压侧 18 A / 低压侧 27 A，双 N 沟道，SO8FL
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFD4C20NT3G
- 商品编号
- C893817
- 商品封装
- DFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V；3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.88W；1.97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC；29nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 970pF；1.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF；50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF；990pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款功率MOSFET具有低导通电阻的特性。该器件适用于便携式设备的电源开关等应用。最适合1 - 2节锂离子电池应用。
商品特性
- 共封装功率级解决方案,可最小化电路板空间
- 最小化寄生电感
- 优化器件以降低功率损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合 RoHS 标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 系统电压轨
- 负载点