NTMFS4925NT3G
1个N沟道 耐压:30V 电流:48A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4925NT3G
- 商品编号
- C893821
- 商品封装
- DFN-5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 23.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.264nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 143pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用安森美半导体（ON Semiconductor）的沟槽技术制造，专门设计用于最小化栅极电荷和实现超低导通电阻。该器件适用于笔记本电脑应用。
商品特性
~~- 超低导通电阻-低栅极电荷-共漏型-这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 三芯锂离子电池充放电开关