NTMFS4982NFT3G
1个N沟道 耐压:30V 电流:207A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4982NFT3G
- 商品编号
- C893835
- 商品封装
- DFN-5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 207A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化特殊MicroFET引线框架上VGS = 1.8 V时的rDS(ON)。
商品特性
- 集成肖特基二极管
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 服务器、网络通信、负载点(POL)
- DC-DC转换器的同步整流
- 低端开关
- 高性能应用
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