NTMFS4C59NT3G
1个N沟道 耐压:30V 电流:52A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4C59NT3G
- 商品编号
- C893860
- 商品封装
- SO-8-FL-5.8mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.252nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 126pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
-CPU电源供应-DC-DC转换器
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