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NTTFS015P03P8ZTWG
1个P沟道 耐压:30V 电流:47.6A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS015P03P8ZTWG
- 商品编号
- C893905
- 商品封装
- WDFN-5(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.097714克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 33.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.706nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 875pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
该器件在双封装中包含两个专用的N沟道MOSFET。开关节点已进行内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q2）和同步MOSFET（Q1）的设计旨在实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1：N沟道
- 栅源电压 = 10 V、漏极电流 = 7.8 A时，最大漏源导通电阻 = 21 mΩ
- 栅源电压 = 6 V、漏极电流 = 3.9 A时，最大漏源导通电阻 = 55 mΩ
- Q2：N沟道
- 栅源电压 = 10 V、漏极电流 = 7.8 A时，最大漏源导通电阻 = 21 mΩ
- 栅源电压 = 6 V、漏极电流 = 3.9 A时，最大漏源导通电阻 = 55 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间，从而降低开关损耗
- 符合RoHS标准
应用领域
-计算领域-通信领域-通用负载点应用