NTTFS4939NTWG
1个N沟道 耐压:30V 电流:52A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS4939NTWG
- 商品编号
- C893911
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 29.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.979nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20.2pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)），以实现更高的效率和更长的电池续航时间
- 小外形封装（1.6 x 1.6 mm）
- SC - 75标准鸥翼式封装
- 静电保护栅极
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，并且符合RoHS标准
应用领域
- 高端负载开关
- DC - DC转换
- 小驱动电路
- 电池供电系统，如手机、个人数字助理、数码相机等。
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