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NTTFS5116PLTWG

1个P沟道耐压:60V 电流:20A

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描述: 特性：低导通电阻（RDS(on)）。快速开关。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：负载开关。直流电机控制
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTTFS5116PLTWG
商品编号: C893920
商品封装: WDFN-8(3.3x3.3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.059333克(g)

商品参数

商品概述

FDZ661PZ采用先进的1.5 V PowerTrench工艺设计，并结合了先进的“细间距”薄型WLCSP封装工艺，最大程度地减小了PCB空间和rDS(on)。这种先进的WLCSP MOSFET体现了封装技术的重大突破，使该器件兼具出色的热传递特性、超薄外形（0.4 mm）和小型封装（0.8 × 0.8 mm²）、低栅极电荷以及低rDS(on)等优点。

商品特性

低导通电阻(RDS(on))
快速开关
这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

负载开关
直流电机控制
直流-直流转换

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	52mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	3.2W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3V
	栅极电荷量(Qg)	25nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.258nF
	反向传输电容(Crss)	84pF
	工作温度	-55℃~+175℃