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NVMFS5C410NWFAFT3G
1个N沟道 耐压:40V 电流:300A
- 描述
- 特性：小尺寸 (5×6mm)，适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS5C410NWF 可焊侧翼选项，便于光学检测。 AEC-Q101 认证，可提供 PPAP 文件。 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5C410NWFAFT3G
- 商品编号
- C895996
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.92mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 166W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
交货周期
订货85-87个工作日购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5000 个)个
起订量：5000 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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