温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFS5C442NLAFT3G
1个N沟道 耐压:40V 电流:130A 电流:29A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5C442NLAFT3G
- 商品编号
- C896005
- 商品封装
- DFN-5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A；29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.7W；83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适用于紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
- NVMFS5C442NLWF – 可焊侧翼选项,便于光学检测
- 通过 AEC-Q101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关模式电源
- 音频放大器
- 直流电机控制
- 可变开关电源应用
相似推荐
其他推荐
- NVMFS5C442NLT3G
- NVMFS5C456NLAFT3G
- NVMFS5C456NLWFAFT3G
- NVMFS5C460NLAFT3G
- NVMFS5C468NLAFT3G
- NVMFS5C468NLWFAFT3G
- NVMFS5C604NLAFT3G
- NVMFS5C604NLWFAFT3G
- NVMFS5C612NLAFT3G
- NVMFS5C612NLWFAFT3G
- NVMFS5C628NLAFT3G
- NVMFS5C628NLWFAFT3G
- NVMFS5C645NLAFT3G
- NVMFS5C645NLWFAFT3G
- NVMFS5C646NLAFT3G
- NVMFS5C646NLWFAFT3G
- NVMFS5C670NLAFT3G
- NVMFS5C670NLWFAFT3G
- NVMFS5C673NLAFT3G
- NVMFS5C682NLAFT3G
- NVMFS5C682NLWFAFT3G