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NVMFS5C442NLAFT3G
1个N沟道 耐压:40V 电流:130A 电流:29A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5C442NLAFT3G
- 商品编号
- C896005
- 商品封装
- DFN-5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A；29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.7W；83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 2.8 A、60 V，漏源导通电阻RDS(on) = 140 mΩ（最大值），条件为栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 1.4 A
- 低栅极电荷（典型值5.8 nC）
- 低反向传输电容Crss（典型值15 pF）
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源
- 音频放大器
- 直流电机控制
- 可变开关电源应用
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