NVMFS5C682NLAFT3G
1个N沟道 耐压:60V 电流:8.8A 电流:25A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5C682NLAFT3G
- 商品编号
- C896026
- 商品封装
- DFN-5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A；25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.5W；28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适用于紧凑设计
- 低 RDS(on),可降低导通损耗
- 低 QG 及电容,可降低驱动损耗
- NVMFS5C682NLWF - 可焊侧翼选项,便于光学检测
- 通过 AEC-Q101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准