- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQU2N90TU-WS
FQU2N90TU-WS
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQU2N90TU-WS
- 商品编号
- C896100
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。
商品特性
- 1.7 A、900 V,VGS = 10 V、ID = 0.85 A时,RDS(on) = 7.2 Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值12 nC)
- 低Crss(典型值5.5 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器