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NTK3043NT5G
1个N沟道 耐压:20V 电流:210mA
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- 描述
- 特性：支持高密度PCB制造。 比SC-89占位面积小44%，比SC-89薄38%。 低电压驱动，适用于便携式设备。 低阈值电平，VGS(TH) < 1.3V。 低外形（< 0.5mm），可轻松适配超薄环境，如便携式电子产品。 可在标准逻辑电平栅极驱动下工作，便于使用相同基本拓扑向更低电平迁移。应用：接口、开关。 高速开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTK3043NT5G
- 商品编号
- C896489
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4Ω@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 310mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 输入电容(Ciss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 支持高密度 PCB 制造
- 与 SC-89 相比,占位面积减小 44%,厚度降低 38%
- 低电压驱动,使该器件非常适合便携式设备
- 低阈值电平,VGS(TH) < 1.3 V
- 薄型封装(< 0.5 mm),使其能轻松适配如便携式电子设备等超薄环境
- 可在标准逻辑电平栅极驱动下工作,便于使用相同基本拓扑结构向更低电平迁移
- 这些器件为无铅、无卤器件
应用领域
-接口、开关-高速开关-手机、个人数字助理(PDA)